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T55B337M2R5C0035
0.432
T55B337M2R5C0035 数据手册 (25 页)
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T55B337M2R5C0035 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
2.50 V
电容
330 µF
等效串联电阻(ESR)
0.035 Ω
容差
±20 %
封装(公制)
3528
封装
1411
工作温度(Max)
105 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
额定电压
2.5 V

T55B337M2R5C0035 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.5 mm
宽度
2.8 mm
高度
1.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 105℃

T55B337M2R5C0035 数据手册

VISHAY(威世)
25 页 / 0.7 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 0.57 MByte
VISHAY(威世)
12 页 / 0.69 MByte

T55B337M2R5 数据手册

VISHAY(威世)
T55 系列T55 固体钽表面安装片状电容器 模制盒、高性能聚合体型超低 ESR 模制外壳,提供 5 个箱代码 接线端子:箱 J、P 和 A:100% 锡 箱 B 和 T:Ni/Pd/Au 与高容量自动拾放设备兼容 湿度敏感性等级 3 去耦、平滑、滤波中的应用;无线卡中的节能存储;基础设施设备;存储和网络;计算机主板;智能手机和平板电脑
VISHAY(威世)
钽电容, 330UF, 2.5V, 封装B
VISHAY(威世)
钽聚合物电容器, 330 µF, 2.5 V, vPolyTan T55系列, ± 20%, B, 0.045 ohm
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  T55B337M2R5C0035  表面贴装钽电容, T55 vPolyTan系列, 330 µF, 1411 [3528-21 公制], 0.035 ohm, 2.5 V
VISHAY(威世)
钽聚合物电容器, 330 µF, 2.5 V, vPolyTan T55系列, ± 20%, B, 0.025 ohm
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  T55B337M2R5C0070  钽电容, 330UF, 2.5V, 封装B
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  T55B337M2R5C0045  表面贴装钽电容, T55 vPolyTan系列, 330 µF, 1411 [3528 公制], 0.045 ohm, 2.5 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  T55B337M2R5C0025  表面贴装钽电容, T55 vPolyTan系列, 330 µF, 1411 [3528 公制], 0.025 ohm, 2.5 V
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