IXFH32N50Q

￥ 11.19

IXFH32N50Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFH32N50Q 数据手册 (5 页)

IXFH32N50Q 数据手册 (5 页)

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IXFH32N50Q 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定功率

416 W

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

416 W

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

32A

上升时间

42 ns

输入电容值(Ciss)

4925pF @25V(Vds)

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

360W (Tc)

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IXFH32N50Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

宽度

5.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFH32N50Q 符合标准

IXFH32N50Q 概述

IXFH32N50Q 数据手册

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IXFH32N50Q 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.16 MByte

IXFH32N50 数据手册

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IXYS SEMICONDUCTOR IXFH32N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 500 V, 150 mohm, 10 V, 4 V

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