IXFH6N100 数据手册 - IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH6N100  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4.5 V

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH60N50P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 5 V

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

通孔 N 通道 1200V 6A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD（IXFH）

IXYS RF  IXFH6N100F  晶体管, 射频FET, 1 kV, 6 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiPerFET™ X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管，且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备