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IXFN44N80P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

中高压MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 190 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN44N80P 数据手册 (4 页)

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IXFN44N80P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.19 Ω

极性

N-Channel

功耗

694 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

44.0 A

上升时间

22 ns

输入电容值(Ciss)

12000pF @25V(Vds)

下降时间

27 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

694W (Tc)

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IXFN44N80P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN44N80P 符合标准

IXFN44N80P 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.08 MByte

IXFN44N80P 其他数据使用手册

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IXFN44N80P 产品手册

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4 页 / 0.08 MByte

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