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IXTN170P10P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

P-沟道 100 V 12 mOhm 底座安装功率 Mosfet - SOT-227

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTN170P10P 数据手册 (5 页)

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IXTN170P10P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

极性

P-CH

功耗

890000 mW

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

170A

输入电容值(Ciss)

12600pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

890 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

890W (Tc)

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IXTN170P10P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTN170P10P 符合标准

IXTN170P10P 概述

IXTN170P10P 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.12 MByte

IXTN170P10P 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.13 MByte

IXTN170P10 数据手册

IXTN170P10P 数据手册

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P-沟道 100 V 12 mOhm 底座安装功率 Mosfet - SOT-227

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