￥ 36.552

IXGN200N60B3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXGN 系列 600 Vce 300 A 44 ns t(on) 中速 IGBT - SOT-227B

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXGN200N60B3 数据手册 (4 页)

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IXGN200N60B3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

额定功率

830 W

针脚数

4 Position

功耗

830 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容值(Cies)

26nF @25V

额定功率(Max)

830 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

830000 mW

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IXGN200N60B3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXGN200N60B3 符合标准

IXGN200N60B3 海关信息

IXGN200N60B3 概述

IXGN200N60B3 数据手册

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4 页 / 0.82 MByte

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7 页 / 0.18 MByte

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