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NVTFS5116PLTWG
器件3D模型
0.53
NVTFS5116PLTWG 数据手册 (6 页)
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NVTFS5116PLTWG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
WDFN-8
无卤素状态
Halogen Free
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.037 Ω
功耗
3.2 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
60 V
上升时间
68 ns
输入电容值(Ciss)
1258pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.2 W
下降时间
36 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.2W (Ta), 21W (Tc)

NVTFS5116PLTWG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NVTFS5116PLTWG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.19 MByte

NVTFS5116 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NVTFS5116PLTAG  MOSFET Transistor, P Channel, -6 A, -60 V, 0.037 ohm, -10 V, -3 V 新
ON Semiconductor(安森美)
-14A,-60V,P沟道MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
-60V,-14A,52mΩ,单P沟道功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
-60V,-14A,52mOhm,单P沟道功率MOSFET
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