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SMBT2222AE6327HTSA1
0.036
SMBT2222AE6327HTSA1 数据手册 (8 页)
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SMBT2222AE6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
600 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
330 mW
增益频宽积
300 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
额定功率(Max)
330 mW
直流电流增益(hFE)
100
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
330 mW

SMBT2222AE6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.9 mm
工作温度
150℃ (TJ)

SMBT2222AE6327HTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.52 MByte
Infineon(英飞凌)
34 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
34 页 / 0.66 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.2 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.14 MByte

SMBT2222AE6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
低集电极 - 发射极饱和电压 Low collector-emitter saturation voltage
Infineon(英飞凌)
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