￥ 3.004

IXTP50N20P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTP50N20P 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IXTP50N20P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

360 W

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

50A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

2720pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

360 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

360000 mW

查看数据手册 >

IXTP50N20P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.66 mm

宽度

4.83 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

IXTP50N20P 符合标准

IXTP50N20P 海关信息

IXTP50N20P 概述

IXTP50N20P 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.15 MByte

IXTP50N20 数据手册

IXTP50N20P 数据手册

IXYS Semiconductor

IXTP50N20PM 数据手册

IXYS Semiconductor

TO-220 隔离的标片

IXTP50N20P 数据手册

Littelfuse（力特）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号