IXTQ76N25T

￥ 2.83

IXTQ76N25T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTQ76N25T 数据手册 (6 页)

IXTQ76N25T 数据手册 (6 页)

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IXTQ76N25T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

42 mΩ

极性

N-CH

功耗

460 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

250 V

漏源击穿电压

300 V

连续漏极电流(Ids)

76A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

4500pF @25V(Vds)

下降时间

29 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

460W (Tc)

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IXTQ76N25T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.8 mm

宽度

4.9 mm

高度

20.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTQ76N25T 符合标准

IXTQ76N25T 数据手册

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IXYS Semiconductor

6 页 / 0.2 MByte

IXTQ76N25T 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

10 页 / 0.54 MByte

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