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IXTT40N50L2
14.282
IXTT40N50L2 数据手册 (5 页)
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IXTT40N50L2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-268-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
170 mΩ
极性
N-Channel
功耗
540 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
连续漏极电流(Ids)
40A
上升时间
133 ns
输入电容值(Ciss)
10400 pF
额定功率(Max)
540 W
下降时间
44 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
540W (Tc)

IXTT40N50L2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
14 mm
宽度
16.05 mm
高度
5.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTT40N50L2 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.17 MByte
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.18 MByte

IXTT40N50 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXTT40N50L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 40 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 2.5 V
IXYS Semiconductor
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