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STD30NF03LT4
1.313
STD30NF03LT4 数据手册 (14 页)
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STD30NF03LT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
30.0 A
封装
TO-252-3
额定功率
50 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.02 Ω
极性
N-Channel
功耗
50 W
阈值电压
1.7 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A
上升时间
205 ns
输入电容值(Ciss)
830pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
50 W
下降时间
240 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
50W (Tc)

STD30NF03LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 175℃ (TJ)

STD30NF03LT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.31 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 0.63 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
11 页 / 0.24 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STD30NF03 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD30NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.02 ohm, 4.5 V, 1.7 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.020ohm - 30A - DPAK / IPAK的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.020ohm - 30A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.017ohm - 30A - DPAK封装的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.020ohm - 30A - DPAK / IPAK的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.020ohm - 30A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.020ohm - 30A - DPAK / IPAK的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.020ohm - 30A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.017ohm - 30A - DPAK封装的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
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