IXXX110N65B4H1

￥ 13.295

IXXX110N65B4H1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXXX110N65B4H1 数据手册 (8 页)

IXXX110N65B4H1 数据手册 (8 页)

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IXXX110N65B4H1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

功耗

880 W

击穿电压(集电极-发射极)

650 V

反向恢复时间

100 ns

额定功率(Max)

880 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

880000 mW

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IXXX110N65B4H1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IXXX110N65B4H1 符合标准

IXXX110N65B4H1 海关信息

IXXX110N65B4H1 数据手册

IXXX110N65B4H1 数据手册

IXYS Semiconductor

8 页 / 0.25 MByte

IXXX110N65B4H1 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

7 页 / 0.24 MByte

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