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MTP2P50EG
0.463
MTP2P50EG 数据手册 (7 页)
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MTP2P50EG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-500 V
额定电流
-2.00 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
6 Ω
极性
P-Channel
功耗
75 W
输入电容
1.18 nF
栅电荷
27.0 nC
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
1183pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
75 W
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
75W (Tc)

MTP2P50EG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.53 mm
宽度
4.83 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MTP2P50EG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 2.6 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.27 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

MTP2P50 数据手册

Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MTP2P50EG  晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -500 V, 6 ohm, 10 V, -3 V
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 2安培, 500伏 Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts
Motorola(摩托罗拉)
Freescale(飞思卡尔)
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