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JANS2N3637 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-39

描述:

PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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JANS2N3637 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

JANS2N3637 数据手册 (7 页)

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JANS2N3637 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-39

功耗

1 W

击穿电压(集电极-发射极)

175 V

最小电流放大倍数

100 @50mA, 10V

额定功率(Max)

1 W

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1000 mW

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JANS2N3637 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

材质

Silicon

工作温度

-65℃ ~ 200℃ (TJ)

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JANS2N3637 符合标准

JANS2N3637 海关信息

JANS2N3637 数据手册

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