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LET9045C
64.75
LET9045C 数据手册 (10 页)
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LET9045C 技术参数、封装参数

类型
描述
频率
960 MHz
引脚数
3 Pin
额定电流
9 A
封装
M-243
功耗
108000 mW
输入电容
58 pF
输出功率
59 W
增益
17.7 dB
测试电流
300 mA
输入电容值(Ciss)
58pF @28V(Vds)
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
108000 mW
额定电压
80 V

LET9045C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
9.4 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

LET9045C 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.19 MByte

LET9045 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LET9045F  晶体管, 射频FET, 80 V, 9 A, 108 W, 1 GHz, M250
ST Microelectronics(意法半导体)
在塑料包装射频功率晶体管LDMOS增强技术 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
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