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LET9120 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

M-246

描述:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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LET9120 数据手册 (11 页)

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LET9120 技术参数、封装参数

类型

描述

频率

860 MHz

引脚数

5 Pin

封装

M-246

功耗

200 W

输出功率

150 W

增益

18 dB

测试电流

400 mA

输入电容值(Ciss)

58pF @28V(Vds)

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

200000 mW

额定电压

80 V

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LET9120 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-65℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

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LET9120 海关信息

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ST Microelectronics（意法半导体）

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