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器件3D模型
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LM193N 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
比较器
封装:
DIP-8
描述:
低功耗双电压比较器 Low power dual voltage comparators
Pictures:
3D模型
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焊盘图
引脚图
产品图
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LM193N 数据手册 (21 页)
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LM193N 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
封装
DIP-8
输出电流
18mA @5V
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
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LM193N 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 125℃
查看数据手册 >
LM193N 符合标准
LM193N 概述
●
比较器 通用 CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 8-DIP
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LM193N 数据手册
LM193N
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
21 页 / 0.88 MByte
LM193 数据手册
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DR
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TEXAS INSTRUMENTS LM193DR.. 模拟比较器, 双路, 差分, 2, 300 ns, 2V 至 36V, SOIC, 8 引脚
LM193
H/NOPB
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM193H/NOPB 模拟比较器, 双路, 精密电压, 2, 300 ns, 2V 至 36V, TO-99, 8 引脚
LM193
DRG4
数据手册
TI(德州仪器)
双差分比较仪 DUAL DIFFERENTIAL COMPARATORS
LM193
JG
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TI(德州仪器)
LMx93/LM2903 系列双路比较器Texas Instruments LM193、LM293、LM393 和 LM2903 是双路差分输入电压比较器,设计用于由广泛电压范围的单电源供电操作。 共模输入电压范围包括接地,且这些设备具有开路集电极输出。### 比较器,Texas InstrumentsTexas Instruments 系列电压比较器不仅包括传统单、双和四路比较器封装,还包括窗口比较器及过压和欠压监控器。 尽管比较器和运算放大器表面上是相似的设备,但它们在实用应用中的操作大大不同。 运算放大器适用于线性操作,附带适当反馈,而比较器定制用于快速切换且通常在开路模式中操作。 专用电压比较器具有明显较短的传播延迟,且可在饱和条件下具有更快的响应时间。 大多数比较器还更耐受高差分输入电压,且很多比较器具有开路集电极输出,从而可与其他设备并联操作。
LM193
AH/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM193AH/NOPB 模拟比较器, 双路, 精密电压, 2, 300 ns, 2V 至 36V, TO-99, 8 引脚
LM193
H
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LM193 / LM293 / LM393 / LM2903低功耗低失调电压双比较器 LM193/LM293/LM393/LM2903 Low Power Low Offset Voltage Dual Comparators
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双差分比较仪 DUAL DIFFERENTIAL COMPARATORS
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LM193 / LM293 / LM393 / LM2903低功耗低失调电压双比较器 LM193/LM293/LM393/LM2903 Low Power Low Offset Voltage Dual Comparators
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