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LND150N3-G
0.373
LND150N3-G 数据手册 (7 页)
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LND150N3-G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-226-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
1.00 kΩ
极性
N-Channel
功耗
0.74 W
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 mA

LND150N3-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bag
宽度
4.19 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

LND150N3-G 数据手册

Supertex(超科)
7 页 / 0.59 MByte
Supertex(超科)
7 页 / 0.62 MByte

LND150N3 数据手册

Supertex(超科)
Microchip(微芯)
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。### 特点高输入阻抗 低输入电容 切换速度快 低接通电阻 无次级击穿 低输入和输出泄漏 ### 典型应用常开开关 固态继电器 转换器 线性放大器 恒定电流源 电源电路 电信 ### MOSFET 晶体管,Microchip
Microchip(微芯)
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