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LPV542DGKR
器件3D模型
1.185
LPV542DGKR 数据手册 (29 页)
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LPV542DGKR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
VSSOP-8
输出电流
36mA @5V
供电电流
480 nA
电路数
2 Circuit
针脚数
8 Position
共模抑制比
65 dB
输入补偿漂移
1.00 µV/K
带宽
8 kHz
转换速率
3.70 mV/μs
增益频宽积
0.008 MHz
输入补偿电压
3 mV
输入偏置电流
0.0000001μA @5V
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
共模抑制比(Min)
88 dB
电源电压
1.6V ~ 5.5V

LPV542DGKR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-40℃ ~ 125℃

LPV542DGKR 数据手册

TI(德州仪器)
29 页 / 1.37 MByte
TI(德州仪器)
2 页 / 1.07 MByte
TI(德州仪器)
2 页 / 0.09 MByte

LPV542 数据手册

TI(德州仪器)
放大器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LPV542DNXT  芯片, 运算放大器, 8KHZ, 3.7V/MS, XSON-8
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LPV542DGKR  运算放大器, 8 kHz, 2个放大器, 3.7 V/ms, 1.6V 至 5.5V, VSSOP, 8 引脚
TI(德州仪器)
480nA 1.6V RRIO 双路 CMOS 输入型毫微功耗运算放大器 8-X1SON -40 to 125
TI(德州仪器)
480nA 1.6V RRIO 双路 CMOS 输入型毫微功耗运算放大器 8-VSSOP -40 to 125
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