器件3D模型

￥ 0.44

STS1NK60Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

N沟道600V - 13W - 0.25A - SO- 8齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 13W - 0.25A - SO-8 Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STS1NK60Z 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

STS1NK60Z 数据手册 (8 页)

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STS1NK60Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

250 mA

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

13 Ω

极性

N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

250 mA

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

94pF @25V(Vds)

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Tc)

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STS1NK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STS1NK60Z 符合标准