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M25P32-VMF3TPB TR
器件3D模型
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M25P32-VMF3TPB TR 数据手册 (1 页)
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M25P32-VMF3TPB TR 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOIC-16
电源电压
2.7V ~ 3.6V

M25P32-VMF3TPB TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)

M25P32-VMF3TPB TR 数据手册

Micron(镁光)
1 页 / 0.07 MByte

M25P32VMF3 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
512 Kb到32兆位,低电压,串行闪存采用40 MHz或50 MHz的SPI总线接口 512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
Micron(镁光)
Micron(镁光)
ST Microelectronics(意法半导体)
512 Kb到32兆位,低电压,串行闪存采用40 MHz或50 MHz的SPI总线接口 512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface
ST Microelectronics(意法半导体)
512 Kb到32兆位,低电压,串行闪存采用40 MHz或50 MHz的SPI总线接口 512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface
ST Microelectronics(意法半导体)
512 Kb到32兆位,低电压,串行闪存采用40 MHz或50 MHz的SPI总线接口 512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface
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