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MBD54DWT1G
0.051
MBD54DWT1G 数据手册 (4 页)
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MBD54DWT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
200 mA
电容
10.0 pF
封装
SOT-363-6
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
6 Position
正向电压
1 V
功耗
150 mW
反向恢复时间
5 ns
正向电流
200 mA
最大正向浪涌电流
600 mA
正向电压(Max)
400 mV
正向电流(Max)
200 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
工作结温
125℃ (Max)
耗散功率(Max)
150 mW

MBD54DWT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
0.9 mm
工作温度
55℃ ~ 125℃

MBD54DWT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MBD54DWT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
双肖特基势垒二极管 Dual Schottky Barrier Diodes
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MBD54DWT1G..  小信号肖特基二极管, 双隔离, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA, 125 °C
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