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MBT35200MT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-6

描述:

PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MBT35200MT1G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

MBT35200MT1G 数据手册 (6 页)

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MBT35200MT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

100 MHz

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

-35.0 V

额定电流

-2.00 A

封装

SOT-23-6

无卤素状态

Halogen Free

极性

PNP, P-Channel

功耗

625 mW

增益频宽积

100 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

35 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

100 @1.5A, 1.5V

额定功率(Max)

625 mW

直流电流增益(hFE)

100

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1000 mW

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MBT35200MT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

3.1 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MBT35200MT1G 符合标准

MBT35200MT1G 海关信息

MBT35200MT1G 概述