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MJD3055G
0.66
MJD3055G 数据手册 (6 页)
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MJD3055G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
2 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
10.0 A
封装
TO-252-3
极性
NPN
功耗
1.75 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
热阻
6.25℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
10A
最小电流放大倍数
20 @4A, 4V
额定功率(Max)
1.75 W
直流电流增益(hFE)
10
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
20 W

MJD3055G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MJD3055G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
56 页 / 0.1 MByte

MJD3055 数据手册

CJ(长电科技)
三极管(晶体管) MJD3055 TO-252-2L(4R) 20-100
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管DPAK对于表面贴装应用 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications
Fairchild(飞兆/仙童)
通用放大器低速切换应用D- PAK表面贴装应用 General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications
ST Microelectronics(意法半导体)
互补功率晶体管 COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS
Motorola(摩托罗拉)
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
Samsung(三星)
Galaxy Semi-Conductor
Micro Commercial Components(美微科)
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