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MJD45H11-001
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MJD45H11-001 数据手册 (9 页)
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MJD45H11-001 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-8.00 A
封装
TO-251-3
极性
PNP
功耗
20 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
8A
最小电流放大倍数
40 @4A, 1V
额定功率(Max)
1.75 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

MJD45H11-001 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
6.73 mm
宽度
2.38 mm
高度
6.35 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MJD45H11-001 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte

MJD45 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD45H11G  单晶体管 双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD45H11RLG  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 90 MHz, 20 W, -8 A, 40 hFE
ON Semiconductor(安森美)
PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MJD45H11T4  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 20 W, -8 A, 40 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD45H11TM  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 1.75 W, -8 A, 40 hFE
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MJD45H11TF , PNP 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 1 MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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