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MJD44H11-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-251-3

描述:

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJD44H11-1G 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页 9 页

MJD44H11-1G 数据手册 (9 页)

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MJD44H11-1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

85 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

80.0 V

额定电流

8.00 A

封装

TO-251-3

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

20 W

增益频宽积

85 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

80 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

额定功率(Max)

1.75 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1750 mW

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MJD44H11-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

2.38 mm

高度

6.35 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MJD44H11-1G 符合标准

MJD44H11-1G 海关信息

MJD44H11-1G 概述

MJD44H11-1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.08 MByte

MJD44H11-1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.07 MByte

MJD44H11-1G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.08 MByte

MJD44H11-1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.34 MByte

MJD44H111 数据手册

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