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MJD44H11T4-A
0.422
MJD44H11T4-A 数据手册 (8 页)
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MJD44H11T4-A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
极性
NPN
功耗
20 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
8A
最小电流放大倍数
40 @4A, 1V
额定功率(Max)
20 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
20000 mW

MJD44H11T4-A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

MJD44H11T4-A 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.2 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.08 MByte

MJD44H11T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MJD44H11T4  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 20 W, 8 A, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
硅功率晶体管 SILICON POWER TRANSISTORS
Motorola(摩托罗拉)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD44H11T4G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE 新
ST Microelectronics(意法半导体)
互补功率晶体管 Complementary power transistors
ST Microelectronics(意法半导体)
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