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MJD44H11T4G
0.232
MJD44H11T4G 数据手册 (8 页)
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MJD44H11T4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
85 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
8.00 A
封装
TO-252-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
20 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
8A
最小电流放大倍数
40 @4A, 1V
额定功率(Max)
1.75 W
直流电流增益(hFE)
60
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1750 mW

MJD44H11T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MJD44H11T4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MJD44H11T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MJD44H11T4  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 20 W, 8 A, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
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ON SEMICONDUCTOR  MJD44H11T4G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE 新
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