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MJL21193G
3.748
MJL21193G 数据手册 (7 页)
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MJL21193G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
4 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-250 V
额定电流
-16.0 A
封装
TO-264-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
200 W
击穿电压(集电极-发射极)
250 V
热阻
0.7℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
16A
最小电流放大倍数
25 @8A, 5V
最大电流放大倍数
75
额定功率(Max)
200 W
直流电流增益(hFE)
75
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
200000 mW

MJL21193G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
20.3 mm
宽度
5.3 mm
高度
29 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

MJL21193G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MJL21193 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
硅功率晶体管 Silicon Power Transistors
Motorola(摩托罗拉)
Inchange Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJL21193G  单晶体管 双极, 音频, PNP, 250 V, 4 MHz, 200 W, 16 A, 75 hFE
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