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MMBF170LT1G
0.053
MMBF170LT1G 数据手册 (14 页)
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MMBF170LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
0.225 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
5 Ω
极性
N-Channel
功耗
225 mW
阈值电压
3 V
输入电容
60 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
500 mA
输入电容值(Ciss)
60pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
225 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
225mW (Ta)

MMBF170LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBF170LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 1.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.6 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

MMBF170LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
0.5A,60V,N沟道功率MOSFET
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBF170LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
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