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MMBT2222ALT1HTSA1
0.042
MMBT2222ALT1HTSA1 数据手册 (8 页)
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MMBT2222ALT1HTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
600 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
330 mW
上升时间
25 ns
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
额定功率(Max)
330 mW
下降时间
60 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
330 mW

MMBT2222ALT1HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Last Time Buy
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

MMBT2222ALT1HTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.52 MByte
Infineon(英飞凌)
34 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.14 MByte

MMBT2222ALT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A
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