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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > MMBT2222AWT1 Datasheet 文档
MMBT2222AWT1
器件3D模型
0.7
MMBT2222AWT1 数据手册 (6 页)
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MMBT2222AWT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
600 mA
封装
SC-70-3
极性
NPN
功耗
150 mW
增益频宽积
300 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
额定功率(Max)
150 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

MMBT2222AWT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.1 mm
宽度
1.24 mm
高度
0.85 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT2222AWT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.08 MByte

MMBT2222 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2222  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFE
ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) MMBT2222 M1B SOT-23 100-200
Motorola(摩托罗拉)
Diotec Semiconductor
LiteOn(光宝)
Leshan Radio(乐山无线电)
Nexperia(安世)
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