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MMBT5087LT1
0.02
MMBT5087LT1 数据手册 (7 页)
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MMBT5087LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-50.0 mA
封装
SOT-23-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.05A
最小电流放大倍数
250 @100µA, 5V
额定功率(Max)
300 mW

MMBT5087LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT5087LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.26 MByte

MMBT5087 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5087  单晶体管 双极, PNP, -50 V, 40 MHz, 350 mW, -100 mA, 250 hFE
ON Semiconductor(安森美)
低噪声晶体管 Low Noise Transistor
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
Samsung(三星)
National Semiconductor(美国国家半导体)
Freescale(飞思卡尔)
TI(德州仪器)
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