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MMBTH10LT1
0.04
MMBTH10LT1 数据手册 (5 页)
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MMBTH10LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
25.0 V
额定电流
4.00 mA
封装
SOT-23-3
极性
N-Channel
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
25 V
最小电流放大倍数
60 @4mA, 10V
额定功率(Max)
225 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
225 mW

MMBTH10LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBTH10LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte

MMBTH10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTH10  晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 50 mA, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 50 mA, 60 hFE
Micro Commercial Components(美微科)
PANJIT Touch Screens
UTC(友顺)
NPN射频晶体管
LiteOn(光宝)
Motorola(摩托罗拉)
TI(德州仪器)
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