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MMBTH10LT3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MMBTH10LT3G 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

MMBTH10LT3G 数据手册 (5 页)

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MMBTH10LT3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

无卤素状态

Halogen Free

极性

NPN

功耗

225 mW

增益频宽积

650 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

25 V

最小电流放大倍数

额定功率(Max)

225 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

225 mW

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MMBTH10LT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

3.04 mm

宽度

2.64 mm

高度

1.11 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MMBTH10LT3G 符合标准

MMBTH10LT3G 海关信息

MMBTH10LT3G 概述