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MMBZ27VALT3
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MMBZ27VALT3 数据手册 (8 页)
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MMBZ27VALT3 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
CASE 318-08

MMBZ27VALT3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

MMBZ27VALT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.05 MByte

MMBZ27 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBZ27VCLT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 22 V, 38 V, SOT-23, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBZ27VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 22 V, 40 V, SOT-23, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
40 W 40 V 表面贴装 瞬态电压抑制二极管 - SOT-23-3
ON Semiconductor(安森美)
40瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
Nexperia(安世)
MMBZ10VAL 系列 22 V 48 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23
Diodes(美台)
MMBZ27VAL 系列 40 W 27 VBR 表面贴装 单向 TVS 二极管 - SOT-23
Diodes(美台)
40 W 28.35 Vbr 40 Vcl 表面贴装 双 TVS 二极管 - SOT-23
Nexperia(安世)
静电保护装置, TVS, 40 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 360 mW, MMBZ2 Series
ON Semiconductor(安森美)
40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Diodes(美台)
MMBZ27VC 系列 40 W 27 V 表面贴装 单向 TVS 二极管 - SOT-23
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