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MPSA06-AP
0.038
MPSA06-AP 数据手册 (7 页)
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MPSA06-AP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-226-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
625 mW
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
100 @100mA, 1V
额定功率(Max)
625 mW
直流电流增益(hFE)
100
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

MPSA06-AP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

MPSA06-AP 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
7 页 / 0.08 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
4 页 / 0.58 MByte

MPSA06 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管 Amplifier Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MPSA06..  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE
Diotec Semiconductor
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) MPSA06 TO-92 NPN,Vceo=80V,Ic=500mA,HFE=100-400
Central Semiconductor
BJT Med Power
NXP(恩智浦)
NPN通用晶体管 NPN general purpose transistor
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Philips(飞利浦)
Continental Device
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