器件3D模型

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MRF5812R1 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SO-8

描述:

射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MRF5812R1 数据手册 (5 页)

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MRF5812R1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SO-8

击穿电压(集电极-发射极)

15 V

增益

13dB ~ 15.5dB

最小电流放大倍数

50 @50mA, 5V

额定功率(Max)

1.25 W

耗散功率(Max)

1.25 W

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MRF5812R1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

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MRF5812R1 符合标准

MRF5812R1 概述

MRF5812R1 数据手册

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