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MRF581G
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MRF581G 数据手册 (6 页)
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MRF581G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
Micro-X
击穿电压(集电极-发射极)
18 V
增益
13dB ~ 15.5dB
最小电流放大倍数
50 @50mA, 5V
额定功率(Max)
1.25 W

MRF581G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Bulk
工作温度
150℃ (TJ)

MRF581G 数据手册

Microsemi(美高森美)
6 页 / 0.14 MByte
Microsemi(美高森美)
1 页 / 0.08 MByte

MRF581 数据手册

Motorola(摩托罗拉)
Microsemi(美高森美)
射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
Advanced Semiconductor
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
Microsemi(美高森美)
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射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
Microsemi(美高森美)
射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
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