MT47H128M16RT-25E:C 数据手册 - Micron（镁光）

●MT47H128M16RT-25E:C是一款DDR2 SDRAM, 采用双倍数据速率架构实现高速运行. 双数据速率结构本质上是一种4n预取体系结构, 其接口设计用于在I/O球每个时钟周期传输两个数据字. DDR2 SDRAM的单READ或WRITE操作包含单4n-位宽双时钟周期数据传输在内部DRAM核心, 以及四个相应的n位宽半时钟周期数据传输在I/O球. 双向数据选通 (DQS, DQS＃)与数据一起在外部传输, 用于接收器的数据捕获. DQS是选通信号,在READ过程中由DDR2 SDRAM传输, 在WRITE过程中由存储器控制器传输. DQS与READ数据边缘对齐, 与WRITE数据中心对齐. x16产品有两个数据选通, 一个用于低字节 (LDQS, LDQS＃), 另一个用于高字节 (UDQS, UDQS＃).

● VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V

● JEDEC标准1.8V I/O (与SSTL_18兼容)

● 差分数据选通 (DQS, DQS＃)选项

● 4n位预取架构

● 重复输出选通 (RDQS)选项, 用于x8

● DLL与DQ对齐以及DQS转换带CK

● 8 内部存储单元, 并行操作

● 可编程CAS延迟 (CL)

● Posted CAS Additive Latency (AL)

● WRITE延迟=READ延迟 - 1 tCK

● 4或8种可编程突发长度

● 可调数据输出驱动强度

● 64ms, 8192周期刷新

● 片上终端 (ODT)

● 支持JEDEC时钟抖动规范