￥ 4.578

MTW32N20E 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

200V,32A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MTW32N20E 数据手册 (7 页)

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封装尺寸在7 页

MTW32N20E 数据手册 (7 页)

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MTW32N20E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

32.0 A

封装

TO-247-3

漏源极电阻

0.075 Ω

极性

N-Channel

功耗

180 W

输入电容

3600pF @25V

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

32.0 A

上升时间

120 ns

输入电容值(Ciss)

5000pF @25V(Vds)

下降时间

91 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

180W (Tc)

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MTW32N20E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

长度

16.26 mm

宽度

5.3 mm

高度

21.08 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MTW32N20E 符合标准

MTW32N20E 海关信息

MTW32N20E 概述

MTW32N20E 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.12 MByte

MTW32N20E 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.15 MByte

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