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STPSC806D
1.161
STPSC806D 数据手册 (8 页)
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STPSC806D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
封装
TO-220-2
正向电压
1.7V @8A
热阻
2.4℃/W (RθJC)
反向恢复时间
0 ns
正向电流
8 A
最大正向浪涌电流
120 A
正向电压(Max)
2.1 V
正向电流(Max)
8 A
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
工作结温(Max)
175 ℃

STPSC806D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-40℃ ~ 175℃

STPSC806D 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.1 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
68 页 / 3.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
7 页 / 0.09 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
26 页 / 2.4 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte

STPSC806 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
600 V功率肖特基碳化硅二极管 600 V power Schottky silicon carbide diode
ST Microelectronics(意法半导体)
SiC) 肖特基二极管,STMicroelectronics碳化硅 (SiC) 二极管是超高性能功率肖特基二极管。 关闭时不显示恢复,且圆环图案可忽略。 最小电容性关闭行为与温度无关。### 二极管和整流器,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STPSC806G-TR  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 600V系列, 单, 600 V, 8 A, 10 nC, TO-263
ST Microelectronics(意法半导体)
二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 8 A, 28 nC, TO-220AC
ST Microelectronics(意法半导体)
二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 8 A, 28 nC, TO-220AC
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
600 V功率肖特基碳化硅二极管 600 V power Schottky silicon carbide diode
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