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STB13N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB13N60M2 数据手册 (24 页)

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STB13N60M2 数据手册 (24 页)

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STB13N60M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.35 Ω

极性

N-CH

功耗

110 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

11A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

580pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

9.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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STB13N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB13N60M2 符合标准

STB13N60M2 概述