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NDD03N60ZT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NDD03N60ZT4G 数据手册 (10 页)

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NDD03N60ZT4G 数据手册 (10 页)

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NDD03N60ZT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

漏源极电阻

3.3 Ω

极性

N-Channel

功耗

61 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

2.60 A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

312pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

61 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

61W (Tc)

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NDD03N60ZT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NDD03N60ZT4G 符合标准

NDD03N60ZT4G 概述

NDD03N60ZT4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.13 MByte

NDD03N60ZT4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.27 MByte

NDD03N60ZT4G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.04 MByte

NDD03N60ZT4G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.03 MByte

NDD03N60ZT4G 产品手册

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.03 MByte

NDD03N60ZT4 数据手册

NDD03N60ZT4G 数据手册

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