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DTA043ZEBTL
器件3D模型
0.014
DTA043ZEBTL 数据手册 (11 页)
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DTA043ZEBTL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SC-89-3
额定功率
0.15 W
极性
PNP
功耗
0.15 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
80 @5mA, 10V
额定功率(Max)
150 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
150 mW

DTA043ZEBTL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

DTA043ZEBTL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
11 页 / 1.38 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
10 页 / 1.37 MByte

DTA043 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
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