Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > NDS355N Datasheet 文档
NDS355N
0.3
NDS355N 数据手册 (7 页)
查看文档
或点击图片查看大图

NDS355N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
1.60 A
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
125 mΩ
极性
N-Channel
功耗
0.5 W
输入电容
245 pF
栅电荷
5.00 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.60 A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
245pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
460 mW
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500mW (Ta)

NDS355N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.12 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NDS355N 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.07 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.17 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte

NDS355 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS355AN  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 30 V, 0.065 ohm, 10 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 30 V 0.085 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管-SSOT-3
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
ON Semiconductor(安森美)
NDS355N 编带
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z