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NDS355N
0.2
NDS355N 数据手册 (7 页)
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NDS355N 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
245pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
460 mW
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

NDS355N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

NDS355N 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.07 MByte

NDS355 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS355AN  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 30 V, 0.065 ohm, 10 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 30 V 0.085 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管-SSOT-3
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
ON Semiconductor(安森美)
NDS355N 编带
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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