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NDS355N_NL
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NDS355N_NL 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SuperSOT
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
1.6A

NDS355N_NL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

NDS355N_NL 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.07 MByte

NDS355 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS355AN  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 30 V, 0.065 ohm, 10 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 30 V 0.085 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管-SSOT-3
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
ON Semiconductor(安森美)
NDS355N 编带
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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