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NDUL03N150CG
1.732
NDUL03N150CG 数据手册 (5 页)
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NDUL03N150CG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
8 Ω
极性
N-Channel
功耗
50 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
1.5 kV
上升时间
24 ns
输入电容值(Ciss)
650pF @30V(Vds)
下降时间
47 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3W (Ta), 50W (Tc)

NDUL03N150CG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
43.8 mm
宽度
15.5 mm
高度
5.5 mm
工作温度
150℃ (TJ)

NDUL03N150CG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.24 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 3.63 MByte
ON Semiconductor(安森美)
21 页 / 0.73 MByte

NDUL03N150 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NDUL03N150CG  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1.5 kV, 8 ohm, 10 V
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